硅片衍射热台 RT400XRD

温度范围：室温～400℃
加热平台：φ200mm
平面射角：-40°≤α≤40°，射线垂面射角：-2°≤β≤70°
升温速率<5℃/min
主测温：热电偶，红外测温（辅助）
温度显示/控制精度：0.1℃/0.1℃
实验环境：腔体密闭，可充气氛
外壳冷却：循环水冷
温度控制：调节器精度0.2级，PID人工智能控制，50段程序
温控软件：中英文界面切换，实时操控，多点温度校正、可设置温速、控温区间等，工艺曲线显示与记录
运动控制仪：一轴热台水平移动，一轴热台旋转，一轴红外测温移动。手动或软件操控。